أعلنت شركة سامسونج الرائدة في صناعة الذواكر عالمياً عن شحنها أول مليون رقاقة ذاكرة 10 نانومتر DDR4 مبنية على تقنية ألترا فولت ، والتي من شأنها أن تعطي تحسناً ملحوظاً على أداء ذاكرة الوصول العشوائي بشكل ملموس وواقعي.
وتقول الشركة في مدونتها حيث أعلنت عن هذا النجاح أنها وبإنتاج ذاكرة الوصول
العشوائي DRAM المبنية على تقنية
ألترا فولت EUV، فإنها تبرز مدى إلتزامها
بالابتكار الثوري في حلول ذواكر DRAM ودعم عملائها في
مجال تكنولوجيا المعلومات حول العالم.
وأضافت سامسونج بأن تقنية EUV ستكون حاضرة في عملية تصنيع الأجيال
القادمة من ذواكر DRAM المستقبلية؛ بداية
من الفئة التي أعلنت عنها ضمن 10 نانومتر D1a وتلك الأعلى منها فئة 14 نانومتر.
فيما تتوقع الشركة بدء الإنتاج الموسع لذواكر DDR5 و LPDDR5 خلال العام القادم
حيث ستضاعف القدرة الإنتاجية وستعزز من تعاونها مع عملائها من رواد تكنولوجيا
المعلومات وموردي أشباه الموصلات لزيادة وتحسين المواصفات القياسية في رقاقة الجيل
القادم DDR5/LPDDR5 وتوفيرهما
في السوق بالسرعة المطلوبة.
المصدر :